英诺赛科成立于2015年12月，公司在广东珠海和江苏苏州均设有研发中心和生产基地，是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓研发与产业化的高新技术企业。2017年11月，英诺赛科全球首条8英寸硅基氮化镓生产线在珠海通线投产。公司采用IDM全产业链模式，集芯片设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析于一体，产品涵盖30V-900V功率半导体器件，IC及射频RF器件，产品设计及性能均达到国际先进水平，是全球唯一同时实现高、低压氮化镓功率器件量产的企业，也是世界上首家引进ASML光刻机进行量产的第三代半导体企业。